Сервер: gorodov.pro. Оригинальный сайт не доступен. Это копия сайта от 16 июля 2004.

Технология формирования слоев методом ПАФОС

Метод ПАФОС - полностью аддитивный электрохимический метод изготовления МПП.

Рекомендуется для изготовления печатных плат с шириной проводников и зазоров

50-100 мкм при толщине проводников 30-50 мкм.

Проводящий рисунок создается на временных “носителях” - листах из нержавеющей стали.

1. Предварительное гальваническое осаждение слоя меди толщиной 2-5 мкм на временные “носители”.
1. Обработка поверхности медной шины на временных “носителях”.

а) механическая обработка водной суспензией пемзы

( + - лучшее качество подготовки поверхности;

- - не всегда возможна, т. к. она иногда повреждает медную шину).

б) химическая обработка в растворе персульфата аммония на струйных конвейерных

установках.

( + - этот процесс обеспечивает адгезию и химическую стойкость защитных изображений

на стадиях гальванического формирования проводящего рисунка и щелочного

оксидирования).

2. Нанесение пленочного фоторезиста (формирование защитного слоя).
3. Экспонирование.
4. Проявление.
5. Получение проводников:

а) Электрохимическое осаждение слоя никеля (2-3 мкм);

б) Электрохимическое осаждение слоя меди (30-50 мкм).

6. Нанесение на верхнюю поверхность сформированных проводников адгезионных слоев.
7. Удаление пленочного фоторезиста.
8. Набор пакета “носителей”.
9. Прессование пакета (впрессовывание проводящего рисунка в диэлектрик на всю толщину).
11. Механическое удаление носителей.
12. Травление тонкой медной шины в слоях без межслойных переходов.

1. Предварительное гальваническое осаждение слоя меди толщиной 2-5 мкм на временные “носители”.
1. Обработка поверхности медной шины на временных “носителях”.

а) механическая обработка водной суспензией пемзы

б) химическая обработка в растворе персульфата аммония на струйных конвейерных

установках.

( + - этот процесс обеспечивает адгезию и химическую стойкость защитных изображений

на стадиях гальванического формирования проводящего рисунка и щелочного

оксидирования).

2. Нанесение пленочного фоторезиста (формирование защитного слоя).
3. Экспонирование.
4. Проявление.
5. Получение проводников:

а) Электрохимическое осаждение слоя никеля (2-3 мкм);

б) Электрохимическое осаждение слоя меди (30-50 мкм).

6. Нанесение на верхнюю поверхность сформированных проводников адгезионных слоев.
7. Удаление пленочного фоторезиста.
8. Набор двухслойного пакета “носителей”.
9. Прессование пакета (впрессовывание проводящего рисунка в диэлектрик на всю толщину).
10. Механическое удаление носителей.
11. Сверление отверстий.
12. Химико-гальваническая металлизация.
13. Нанесение пленочного фоторезиста.
14. Экспонирование.
15. Проявление.
16. Формирование контактных площадок переходов гальваническим осаждением меди и никеля или сплава олово/свинец.
17. Удаление фоторезистивной маски.
18. Травление тонкого медного слоя на поверхности.

При изготовлении двусторонних слоев с межслойными переходами форма, размеры и точность проводящего рисунка определяются рисунком в рельефе пленочного фоторезиста, т. е. Процессами фотохимии.

При соблюдении условий проведения процессов:

• в пленочных резистах ширина проводников на высоте 0,2-0,7 толщины фоторезиста равна ширине изображения проводника на фотошаблоне (разброс замеров 5-10 мкм).
• искажения ширины проводников на поверхности подложки относительно изображений на фотошаблоне в среднем составляют 10-20 мкм.
• суммарный интервал разброса ширины проводников по всей высоте фоторельефа не превышает 15-20 мкм.

Профиль рельефа фоторезиста зависит от модели светокопировальной установки. При экспонировании на установках, имеющих совершенную экспонирующую систему с высокой коллимацией высокоинтенсивных световых лучей и отсутствием нагрева рабочей копировальной поверхности (например, устройства HMW-201иOPTI-BEAM 7100), образуется рельеф фоторезиста с ровными боковыми стенками и малым наклоном к поверхности подложки.

• фотошаблон на фотопленке меняет свои линейные размеры при изменении температуры и влажности
• точность ФШ зависит от точности плотера и устройств изготовления базовых отверстий
• сложности при получении линий толщиной менее 100 мкм - возрастают, например, требования к чистоте помещений, поскольку дефекты, вызываемые попаданием пылинок на изготавливаемые ФШ с линиями шириной 50 мкм, устранить практически невозможно
• при экспонировании резиста через ФШ на защитном полиэфирном слое (толщиной 25 мкм) между ФШ и резистом неизбежно происходит рассеяние света, особенно при слабо коллимированном источнике, это существенно ухудшает разрешение фоторезиста