сверление отверстий в заготовке фольгированного диэлектрика
 |
металлизация всей поверхности и стенок заготовки
 |
нанесение пленочного фоторезиста
 |
получение защитного рисунка в пленочном фоторезисте (экспонирование, проявление)
 |
травление медной фольги в окнах фоторезиста
 |
удаление защитного рисунка фоторезиста
 |
|
Субтрактивная технология предусматривает травление медной фольги на поверхности диэлектрика
по защитному изображению в фоторезисте или металлорезисте. Эта технология широко применяется
при изготовлении односторонних и двусторонних слоев МПП.
Вариант этого процесса применительно к платам с уже металлизированными отверстиями называется
тентинг-процессом и показан на рисунке. Пленочный фоторезист создает не только маскирующее
покрытие на проводниках схемы, но и защитные завески над металлизированными отверстиями, предохраняющие
их от воздействия травящего раствора.
В случае, если проявление и травление ведется струйными методами с повышенным давлением,
толщина фоторезиста должна быть не менее 45-50 мкм. Для надежного тентинга диаметр контактной
площадки должен в 1,4 раза превышать диаметр отверстия, а минимальный гарантийный поясок
контактной площадки быть не менее 0, 1 мм.
Субтрактивный процесс с использованием металлорезиста позволяет получить платы с
металлизированными переходами и проводниками шириной менее 125 мкм при их толщине до 50 мкм.
В отличие от предыдущего варианта, фоторезистивную защитную маску получают над теми местами
фольги, которые необходимо удалить. Затем последовательно осаждают медь (20-40 мкм) и
металлорезист (олово-свинец 9-12 мкм) на освобожденные от пленочного резиста участки платы
и на стенки отверстий. После удаления фоторезиста незащищенные слои меди вытравливаются,
после этого металлорезист удаляют.
|